台积电A14/A16工艺放弃使用High NA EUV光刻机技术

时间：2025/5/2 8:05:17 来源：打印

      在台积电北美技术研讨会上，台积电表示无需使用High NA（高数值孔径）EUV光刻机来制造其A14 (1.4nm) 工艺的芯片。

      台积电在研讨会上介绍了A14工艺，并表示预计将于2028年投入生产。此前，台积电曾表示A16工艺将于2026年底问世，而且也不需要使用High NA EUV光刻设备。

      据悉，台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang表示：“从2nm到A14，我们无需使用High NA，但我们可以继续保持类似的工艺步骤复杂性。”

      这与英特尔形成鲜明对比，英特尔一直积极采用High NA，力求追赶半导体代工市场领头羊台积电和三星。英特尔是首家获得ASML High NA EUV光刻机的公司，并计划于2025年开始在Intel 18A制程中采用High NA EUV光刻机生产芯片。